超净高纯试剂是集成电路( IC )制造工艺中的专用化学品,用于硅片清洗、光刻、腐蚀工序中。对这种高纯试剂中可溶性杂质和固态微粒要求非常严格,为适应 IC 集成度不断提高的需求,国际上半导体工业协会( Semiconductor Industry Association )近来推出 Semic7( 适合 0.8-1.2 微米工艺技术 ) 和 Semic8( 适合于 0.2-0.6 微米工艺技术 ) 级别的试剂质量标准。我国在原有 MOS 级、 BV-I 级试剂的基础上,又制定出 BV-II 级和 BV-III 级试剂标准(相当于 Semic7 )。我研究所也研制多种 MOS 级、 BV-I 级 BV-II 级和部分 BV-III 级试剂,其颗粒度( 0.5 微粒颗粒)≤ 25-100 个∕ ml ,金属杂质总量≤ 10 -3 — 10 - 5 ﹪
• 光刻胶高纯试剂
光刻工艺是一种表面加工技术,在半导体电子器件和集成电路制造中占有重要地位。为在表面实现选择性腐蚀,采用一类具有抗蚀作用的感光树脂材料作为抗蚀涂层,称为抗蚀剂,国内通称光刻胶。按照溶解度的不同而将光刻胶分为“正性”光刻胶和“负性”光刻胶,按所用曝光光源和辐射光源的不同,又可将其分为紫外、远紫外、电子束、 X 射线等光刻胶。